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7MBR25SA120-50 IGBT-Leistungsmodul, Kollektor-Emitter-Nennspannung bis 1200 V, kann an Mittel- und Hochspannungssysteme mit Nennstrom 25 A angepasst werden, um die Anforderungen von Hochleistungsgeräten zu erfüllen.
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FP75R12KT4 ist ein 1200-V-, 75-A-PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter-IGBT-Modul mit ECOPIM ™ 3-Gehäuse, integriertem IGBT mit schnellem Trench-Gate / Feldabschluss, Emittersteuerdiode und NTC-Temperaturerkennungsfunktion mit geringem Schaltverlust, hoher Schaltfrequenz und hoher Leistungsdichte Eig
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Mitsubishi 1200V 400A dual IGBT module for high-power conversion.
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Es hat 1 unidirektionalen Thyristor und 1 Diode.Seine Gate-Trigger-Spannung beträgt 2 V, der Haltestrom 150 mA, die Spitzen-Ausschaltspannung 1,6 kV und der Einschaltstrom 520 A.Der Betriebstemperaturbereich beträgt -40 ℃ ~ + 140 ℃ 123.
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